Транзистор вч 2Т642А-2 (Код: 0000007530)

Описание высокочастотного транзистор вч 2Т642А-2

Основные технические параметры 2Т642А-2 -кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1...8,15 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Транзисторы 2Т642А-2, КТ640А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Маркируются белой точкой. Транзисторы 2Т642А-5, 2Т642А1-5, КТ642А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается на этикетке. Масса транзистора бескорпусного не более 0,2 г, кристалла не более 0,0002 г.

Основные технические характеристики транзистора 2Т642А-2:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20 В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 8 ГГц

 Купить в Саратове тел. +7 967 500 85 44  Электроника